【摘要】 本发明涉及一种定向排列碳纳米管与碳包覆钴纳米颗粒复合物及其制备方法。首先利用磁控溅射的方法，在Si基底上沉积Co薄膜，然后在等离子体增强化学气相沉积设备升温过程中将Co薄膜氧化，形成尺寸很小的氧化钴纳米颗粒，然后通入工作气体H2+CH4，进行沉积生长，最后获得定向排列碳纳米管与碳包覆钴纳米颗粒复合材料。该复合物碳纳米管定向垂直于硅基底，碳包覆钴纳米颗粒依附于定向排列碳纳米管的顶部表面，所述的碳纳米管是多壁碳纳米管，其中钴颗粒为单晶钴。本发明的方法简单、一步完成，容易控制，便于工业化生产，制备出来的复合材料，在高密度磁记录材料，吸波、生物医药、电磁屏蔽、传感器、催化材料等领域具有良好的应用前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】吉林大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】130012 吉林省长春市前进大街2699号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810051180.0 【申请日】2008-09-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101348936B 【公开公告日】2010-08-25 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101348936B 【授权公告日】2010-08-25 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B25/00; C30B29/02; C23C16/00; C01B31/02; B22F1/02; B82B3/00 【发明人】郑伟涛; 亓钧雷; 胡超权; 王欣 【主权项内容】一种定向排列碳纳米管与碳包覆钴纳米颗粒复合物，其特征在于所述的碳纳米管定向垂直于硅基底，碳包覆钴纳米颗粒依附于定向排列碳纳米管的顶部表面，所述的碳纳米管是多壁碳纳米管，长度在2-4μm，直径在8-14nm，碳包覆钴纳米颗粒的直径在70-200nm，其中钴颗粒为单晶钴。 【当前权利人】吉林大学 【当前专利权人地址】吉林省长春市前进大街2699号 【统一社会信用代码】121000004232040648 【家族被引证次数】19
