【摘要】 本发明涉及一种微型光辐射探测器的制作方法，包括以下步骤：制备衬底；在衬底一个表面沉积加热丝；在加热丝表面沉积绝缘层；在绝缘层的上表面生长辐射吸收材料；将热敏电阻粘接于衬底的另一表面。本发明体积小、热容小；加热丝电阻大，引线电阻影响可忽略不计；热敏电阻灵敏度高，可探测的动态范围大。采用本发明方法制作的微型光辐射探测器结构简单，尺寸及质量都得到了很好的控制，可以作为航天器上新型内置定标基准源，也可以应用于其它热辐射探测领域。 【专利类型】发明授权 【申请人】吉林省光电子产业孵化器有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】130033 吉林省长春市经济技术开发区营口路77号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】南关区 【申请号】CN200810050498.7 【申请日】2008-03-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101246052B 【公开公告日】2010-05-12 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101246052B 【授权公告日】2010-05-12 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01J5/20 【发明人】梁中翥; 方伟; 梁静秋 【主权项内容】一种微型光辐射探测器的制作方法，其特征在于包括下列步骤：(一)、选用金刚石片作为衬底，热导率≥5W/K·cm，电阻率为1012-1017Ω·cm；衬底厚度0.05-5mm，一个表面粗糙度为1nm～10μm(rms)，另一表面粗糙度为0.2nm～5μm(rms)；(二)、将加热丝材料沉积于衬底的粗糙度为0.2nm～5μm(rms)的表面，沉积厚度为50nm-20μm；加热丝材料薄膜生长完毕，用光刻工艺在加热丝材料薄膜上表面形成与加热丝相同的掩蔽图形，然后蚀刻形成加热丝图形，去除光刻胶；(三)、在带有加热丝的衬底表面沉积绝缘层；绝缘层材料选用导热性好、电绝缘性好、热容小、易成膜、可图形化、抗老化性好的材料；然后在绝缘层上表面光刻，使加热丝上方区域的光刻胶保留，最后，用蚀刻去除其余部分的绝缘层，去除光刻胶；(四)、选用高吸收率、低反射率的材料作为辐射吸收材料；在绝缘层的上表面生长辐射吸收材料，辐射吸收材料厚度为10nm-2mm；(五)、将热敏电阻粘接于衬底的粗糙度为1nm～10μm(rms)的表面。 【当前权利人】吉林省光电子产业孵化器有限公司 【当前专利权人地址】吉林省长春市经济技术开发区营口路77号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91220101696118655K 【引证次数】4.0 【被引证次数】2 【他引次数】4.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7
