【摘要】 本发明提供一种晶片堆叠结构，该晶片堆叠结构包含一第一晶片，该第 一晶片具有一第一装置层与一第一基板，其中该第一装置层具有至少一芯片 及至少一低介电材料层；一第二晶片，设置在该第一晶片之上，其具有一第 二装置层；以及一封闭结构，其设置于该至少一芯片上且设置于该至少一芯 片的切割道的内侧，其中该封闭结构是从该第一装置层远离该第一基板的一 侧延伸至其靠近该第一基板的另一侧。本发明所提的晶片堆叠结构不但可提 供晶片装置层的多孔性介电材料一定的应力支撑保护，更可隔绝该多孔性介 电材料，使其免于湿气的侵入，而解决晶片堆叠结构可能因气密性不足而引 发的可靠性问题。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】台湾省新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810149914.9 【申请日】2008-10-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635293A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101635293B 【授权公告日】2012-08-29 【授权公告年份】2012.0 【发明人】谭瑞敏; 张恕铭; 廖锡卿; 骆韦仲; 李荣贤; 张缉熙 【主权项内容】1、一种晶片堆叠结构，其特征在于，该晶片堆叠结构包含： 一第一晶片，其具有一第一装置层与一第一基板，其中该第一装置层具 有至少一芯片及至少一低介电材料层； 一第二晶片，设置在该第一晶片之上，其具有一第二基板；以及 一封闭的支撑结构，其设置于该至少一芯片上且设置在该至少一芯片的 一切割道之内，其中该封闭的支撑结构从该第一装置层远离基板的一侧延伸 至其靠近基板的一侧。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【家族被引证次数】16
