【摘要】 本发明是关于一种高反射率发光二极管芯片反射灯罩的制造方法。在反射罩内的基板上以磁性物质遮蔽物吸附于基板上以遮蔽一对金属接触垫再进行真空镀膜及其后处理。本发明的制造方法可以达到反射灯罩具有高光反射率的效果。 【专利类型】发明授权 【申请人】强宇企业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾彰化县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810130642.8 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101403482B 【公开公告日】2010-08-18 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101403482B 【授权公告日】2010-08-18 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】F21V7/10; F21V7/22; F21Y101/02N; F21Y101/02 【发明人】许文义; 许书郁; 许书熙 【主权项内容】一种发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，所述的方法至少包含下列步骤：提供一基板，基板上有一反射灯罩，所述的反射灯罩内基板表面上具有至少一金属接触对；提供一具导磁特性的遮蔽物体；将所述的导磁遮蔽物体置入所述的反射灯罩内的所述的基板上以遮盖所述的金属接触对；置另一磁铁或电磁铁于所述的基板下方，用以固定所述的遮蔽物；进行真空镀膜步骤以形成一金属膜于所述的反射灯罩上；及移除所述的遮蔽物。。 【当前权利人】强宇企业股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾彰化县 【家族被引证次数】5
