【摘要】 本发明涉及一种具有差异性掺杂的太阳能电池的单次扩散制造方法，该方法包含下列步骤：首先提供一基材，并在其上形成一掺杂浓度控制层。掺杂浓度控制层至少包含多个开口形成于其中。接着进行掺杂工艺，使得位于掺杂浓度控制层开口下方的基材，形成重掺杂区，并使基材的其它区域形成轻掺杂区。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】昱晶能源科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾苗栗县竹南镇新竹科学园区科北一路21号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810167661.8 【申请日】2008-10-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728452A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】郭明锦; 黄志强; 吴立国; 康仁和; 欧乃天; 陈添赐 【主权项内容】一种具有差异性掺杂的太阳能电池的单次扩散制造方法，其特征在于，至少包含：提供一基材；形成一掺杂浓度控制层于该基材上，该掺杂浓度控制层至少包含多个开口形成于其中；以及掺杂该基材，使该基材位于该掺杂浓度控制层的该多个开口的下方形成重掺杂区，并使该基材的其它区域形成轻掺杂区。 【当前权利人】昱晶能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾苗栗县竹南镇新竹科学园区科北一路21号 【被引证次数】9 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】9
