【摘要】 本发明揭示一太阳能电池元件，其包含一基板、一金属层、一高阻值膜层、一p型半导体层、一n型半导体层及一透明导电层。该金属层可包含钼金属，且形成于该基板的表面，作为电池的背接触金属层(Back contact metal layer)。该高阻值膜层(例如V2O5)形成于该金属层表面。该p型半导体层形成于该高阻值膜层的表面，可包含铜铟镓硒(CIGS)或铜铟镓硒(CIS)的合金材料。该n型半导体层(例如CdS)形成于该p型半导体层的表面，且与该p型半导体层形成p-n结。透明导电层形成于该n型半导体层的表面。本发明的高阻值膜层可制作的相当薄，即可达到防止电池的正负极发生短路，且工艺简单、迅速，可增加生产效率。。微信 【专利类型】发明申请 【申请人】铼宝科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810187542.9 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764168A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L31/06; H01L31/072; H01L31/068; H01L31/0336; H01L31/0749 【发明人】章丰帆; 林信志; 林信宏; 谢季桦; 李宗龙 【主权项内容】一种太阳能电池元件，包含：一基板；一金属层，形成于该基板的表面；一高阻值膜层，形成于该金属层的表面；一p型半导体层，形成于该高阻值膜层的表面，包含铜铟镓硒硫、铜铟镓硒、铜铟硫、铜铟硒或包含铜、硒或硫二者或二者以上的化合物材料；一n型半导体层，形成于该p型半导体层的表面，且与该p型半导体层形成p-n结；以及一透明导电层，形成于该n型半导体层的表面。 【当前权利人】铼宝科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】1.0 【被引证次数】16 【他引次数】1.0 【被他引次数】16.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】16
