【摘要】 本发明揭示一种动态随机存取存储器，包括衬底、位线、字线、凹入式沟道、导电插塞和沟槽式电容器。在前述动态随机存取存储器中，位线是以第一方向配置于衬底上，字线则以第二方向配置于位线上。而凹入式沟道是位于字线下方的两位线间的衬底中，导电插塞连接凹入式沟道和字线。沟槽式电容器则配置于凹入式沟道以外的两位线之间的衬底内。由于字线可借由不增加芯片面积的方式直接与凹入式沟道电性连接，所以可加快字线的存取时间又不增加芯片大小。 【专利类型】发明授权 【申请人】南亚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810096513.1 【申请日】2008-05-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101582425B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101582425B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/108; H01L23/522 【发明人】黄文魁 【主权项内容】一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：一衬底；多条位线，以一第一方向配置于该衬底上；多条字线，以一第二方向配置于该些位线上；多个凹入式沟道，位于该些字线下方的两位线间的该衬底中；多个导电插塞，连接每一字线与该些凹入式沟道；以及多个沟槽式电容器，配置于该些凹入式沟道以外的两条位线之间的该衬底内。 【当前权利人】南亚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 【引证次数】8.0 【他引次数】8.0 【家族引证次数】8.0
