【摘要】 本发明提供一种迭合标记及其制作方法。该方法包括于基底中形成二个第一X方向隔离结构、二个第一Y方向隔离结构、二个第二X方向隔离结构与二个第二Y方向隔离结构，其中第一X方向隔离结构与第一Y方向隔离结构排列成第一矩形，而第二X方向隔离结构与第二Y方向隔离结构排列成第二矩形，且第二矩形位于第一矩形中。依序于基底上形成第一介电层与导体层。进行平坦化工艺，移除部分导体层，直到暴露出上述的隔离结构。于基底上形成第二介电层。于第二介电层上矩形图案，此矩形图案的侧边分别位于上述的隔离结构上方。 【专利类型】发明授权 【申请人】华邦电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810005551.1 【申请日】2008-02-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101510497B 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101510497B 【授权公告日】2010-07-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L23/544 【发明人】陈敏鸿; 蔡高财 【主权项内容】一种迭合标记的制作方法，适用于一非易失性存储器工艺中，其特征在于，该迭合标记的制作方法包括： 于一基底中形成二第一X方向隔离结构、二第一Y方向隔离结构、二第二X方向隔离结构与二第二Y方向隔离结构，其中所述的第一X方向隔离结构与所述的第一Y方向隔离结构排列成一第一矩形，而所述的第二X方向隔离结构与所述的第二Y方向隔离结构排列成一第二矩形，且该第二矩形位于所述的第一矩形中； 依序于所述的基底上形成一第一介电层与一导体层； 进行一第一平坦化工艺，移除部分所述的导体层，直到暴露出所述的第一X方向隔离结构、所述的第一Y方向隔离结构、所述的第二X方向隔离结构与所述的第二Y方向隔离结构； 于所述的基底上形成一第二介电层；以及 于所述的第二介电层上形成一矩形图案，该矩形图案的侧边分别位于所述的第二X方向隔离结构与所述的第二Y方向隔离结构上方。 【当前权利人】华邦电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】2
