【摘要】 一种高散热性封装基板的制作方法，系以铜核基板为基础，开始制作增层封装基板，其 结构包括一厚铜蚀刻置晶接垫、一增层线路及球侧数个电性接脚接垫。该厚铜置晶接垫与电 性接脚接垫由铜核基板的两面分别蚀刻而成，而增层线路则由压合或贴合的介电层上所形成 。因此，本发明封装基板的特色在于，制作厚铜蚀刻置晶接垫时能具选择性地保留位于置晶 位置下方的厚铜，以有效地提供组件散热所需，同时，并可以高密度增层线路提供电子组件 相连时所需绕线，使本发明在具有高密度增层线路结构下，亦可同时使芯片能与厚铜金属接 垫直接结合。使用本发明高散热性封装基板的制作方法不仅可有效改善传统基板散热问题， 而且能简化传统增层线路板制作流程。 【专利类型】发明申请 【申请人】钰桥半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北市松山区延寿街10号1楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810304608.8 【申请日】2008-09-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685781A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685781B 【授权公告日】2011-04-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/48; H05K3/44; H05K3/46; H01L21/02 【发明人】林文强; 王家忠; 陈振重 【主权项内容】1.一种高散热性封装基板的制作方法，其特征在于至少包含下列步 骤： (A)提供一铜核基板； (B)分别于该铜核基板的第一面上形成一第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上 形成一完全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上形成数个第一开口，并显露其下该铜 核基板的第一面； (C)移除该数个第一开口下方的部分厚铜，并形成数个第一凹槽于该铜核基板的第 一面上； (D)移除该第一阻层及该第二阻层，并形成具有数个置晶接垫的铜核基板； (E)于该铜核基板的第一凹槽上形成一第一介电层及一第一金属层，并显露该铜核 基板第一面上用以定义置晶位置的数个置晶接垫； (F)分别于该铜核基板的第一面上形成一完全覆盖状的第三阻层，以及于该铜核基 板的第二面上形成一第四阻层，于其中，该第四阻层上形成有数个第二开口，并显露其下该 铜核基板的第二面； (G)于数个第二开口表面形成数个第二凹槽，并显露该数个第二开口下方的第一介 电层； (H)移除该第三阻层及该第四阻层，并形成具数个柱状电性接脚接垫的铜核基板； (I)于数个第二凹槽内形成一第一电性阻绝层，并显露球侧数个电性接脚接垫； (J)于该第一金属层与该第一介电层上形成数个第三开口，并显露球侧数个电性接 脚接垫； (K)于该铜核基板的第二面上形成一第五阻层； (L)于数个第三开口中、第一金属层、第一介电层及数个置晶接垫上形成一第二金 属层； (M)移除该第五阻层； (N)分别于该第二金属层上形成一第六阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一 完全覆盖状的第七阻层，于其中，该第六阻层上并形成数个第四开口，并显露其下的第二金 属层； (O)移除该第四开口下方的第二金属层及第一金属层； (P)移除该第六阻层及该第七阻层，并形成一第一线路层。至此，完成一具有数个 球侧电性接脚接垫及厚铜蚀刻置晶接垫的增层线路基板； (Q)于该增层线路基板上进行一置晶侧线路层与球侧电性接脚接垫的制作，于其中 ，在该第一线路层表面形成一第一防焊层，且该第一防焊层上并形成数个第五开口，以显露 线路增层结构作为电性连接垫的部分，最后，分别于数个第五开口上形成一第一阻障层，以 及于数个电性接脚接垫上形成一第二阻障层。至此，完成一具有完整图案化的置晶侧线路层 与球侧电性接脚接垫的封装基板。 【当前权利人】钰桥半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北市松山区延寿街10号1楼 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
