【摘要】 本发明公开了一种像素结构的制造方法，包括在已形成有源元件的基板 上形成第一、第二与第三介电层。第一与第三介电层的蚀刻速率低于第二介 电层的蚀刻速率。在第三、第二与第一介电层中形成接触窗开口，其暴露出 有源元件的部分。图案化第三与第二介电层，以形成多个堆叠结构。形成电 极材料层并填入接触窗开口，且位于堆叠结构上的电极材料层与位于第一介 电层上的电极材料层为分离开来。移除堆叠结构并同时剥除位于堆叠结构上 的电极材料层，以定义出像素电极且同时在像素电极中形成至少一配向狭 缝。本发明可减少工艺中所需的光掩模数目。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810169417.5 【申请日】2008-10-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100589242C 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100589242C 【授权公告日】2010-02-10 【授权公告年份】2010.0 【发明人】萧祥志; 杨智钧; 廖金阅 【主权项内容】1.一种像素结构的制造方法，包括： 在一基板上形成一有源元件； 在该基板上依序形成一第一介电层、一第二介电层以及一第三介电层， 覆盖该有源元件，其中该第一介电层与该第三介电层的蚀刻速率低于该第二 介电层的蚀刻速率； 在该第三介电层上形成一图案化光致抗蚀剂层，其具有一较薄部分以及 一较厚部分； 以该图案化光致抗蚀剂层作为掩模，在该第三、第二与第一介电层中形 成该接触窗开口，其暴露出该有源元件的一部分； 移除该图案化光致抗蚀剂层的该较薄部分，而保留该较厚部分； 以该图案化光致抗蚀剂层的该较厚部分作为掩模，移除被暴露出的该第 三介电层以及该第二介电层，以形成多个堆叠结构； 移除该图案化光致抗蚀剂层； 形成一电极材料层，覆盖所述多个堆叠结构以及该第一介电层，并且填 入该接触窗开口，其中位于所述多个堆叠结构上的该电极材料层与位于该第 一介电层上的该电极材料层分离开来；以及 移除所述多个堆叠结构，并同时剥除位于所述多个堆叠结构上的该电极 材料层，以定义出一像素电极且同时在该像素电极中形成至少一配向狭缝。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市
