【摘要】 本发明涉及一种电位切换器，包括：非门，连接于第一电压源使得该非门可操作在第一高电位和低电位之间，该非门输入端连接至信号输入端；第一PMOS晶体管，其源极连接至第二电压源，其栅极连接至控制端；第一NMOS晶体管，其漏极连接至该第一PMOS晶体管漏极并且为信号输出端，其栅极连接至该非门输出端，其源极连接至该参考电位；以及，控制电路，连接至该信号输入端、该非门输出端、以及该第二电压源，并且，该控制电路的该控制端可开启该第一PMOS晶体管使得该信号输出端输出第二高电位，以及关闭该第一PMOS晶体管使得该信号输出端输出该低电位。本发明的电位切换器具备有低消耗功率与低传递延迟的特性。 【专利类型】发明授权 【申请人】智原科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810009285.X 【申请日】2008-02-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101227181B 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101227181B 【授权公告日】2010-07-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H03K3/037; H03K3/356; H03K19/0185 【发明人】杨智文; 陈省华 【主权项内容】一种电位切换器，包括：非门，连接于第一电压源使得该非门能够操作在第一高电位和低电位之间，该非门输入端连接至信号输入端；其中，该第一高电位近似于该第一电压源而该低电位近似于参考电位；第一PMOS晶体管，其源极连接至第二电压源；第一NMOS晶体管，其漏极连接至该第一PMOS晶体管漏极并且为信号输出端，其栅极连接至该非门输出端，其源极连接至该参考电位；以及控制电路，连接至该信号输入端、该非门输出端、该第一PMOS晶体管栅极以及该第二电压源，并且当该信号输入端为该第一高电位且该非门输出端为该低电位时，该控制电路的控制端能够开启该第一PMOS晶体管使得该信号输出端输出第二高电位，而当该信号输入端为该低电位且该非门输出端为该第一高电位时，该控制电路的控制端能够关闭该第一PMOS晶体管使得该信号输出端输出该低电位。 【当前权利人】智原科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】4
