【摘要】 本发明公开了一种散热型芯片封装工艺及其构造。该散热型芯片封装工艺至少包含下列步骤：首先，提供包含有至少一基板单元的基板条；接着，设置至少一芯片于该基板单元的上表面，该芯片电性连接该基板单元；之后，提供预浸材及散热金属层，该散热金属层设置于该预浸材的第一表面，该预浸材的第二表面朝向该芯片；最后，压合该预浸材及该基板单元，以使该预浸材覆盖该芯片。。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810074323.X 【申请日】2008-02-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101226888B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101226888B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/50; H01L21/56; H01L23/36; H01L23/31 【发明人】唐和明; 赵兴华; 李明锦; 黄泰源; 刘昭源; 黄詠政; 李德章; 高仁杰; 陈昭雄 【主权项内容】一种散热型芯片封装工艺，其包含：提供基板条，该基板条包含有至少一基板单元，该基板单元具有上表面及下表面；设置至少一芯片于该基板单元的该上表面，该芯片电性连接该基板单元；提供第一预浸材及散热金属层，该第一预浸材具有第一表面及第二表面，该散热金属层设置于该第一表面，该第一预浸材的该第二表面朝向该芯片；提供第二预浸材，该第二预浸材为B-stage材料，并位于该第一预浸材与该基板单元之间，该第二预浸材具有第三表面、第四表面与至少一开口，该开口形成于该第四表面，该第三表面朝向该第一预浸材的该第二表面，且该开口对准于该芯片；以及同时压合该第一预浸材、该第二预浸材及该基板单元，以使该第一预浸材覆盖该芯片，并使该第二预浸材附着于该基板单元。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】5
