【摘要】 本发明涉及一种半导体装置，包含一第一电路、一第一封环以及至少一第一缺口。第一封环环绕第一电路。第一缺口切开第一封环，且此第一缺口包含一内开口、一外开口以及一连接沟。其中，内开口位于第一封环内侧。外开口位于第一封环外侧，且此外开口与内开口并未对齐。连接沟连接内开口与外开口。。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810179055.8 【申请日】2008-11-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101447462B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101447462B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/00 【发明人】侯上勇; 陈俊宏; 蔡佳伦; 牛保刚; 郑心圃 【主权项内容】一种半导体装置，其特征在于，包含：一第一电路；一第一封环，环绕该第一电路；以及至少一第一缺口，切开该第一封环，其中该第一缺口呈Z字形，该第一缺口包含：一内开口，位于该第一封环内侧；一外开口，位于该第一封环外侧；以及一连接沟，连接该内开口与该外开口。。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】7
