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管式镀膜方法专利

发布时间:2026-06-20

【摘要】 本发明是有关于一种管式镀膜方法,依序包含准备步骤、组装步骤、浸 镀步骤、流速控制步骤,以及硬化步骤。该准备步骤是准备一待镀膜的管 件、预备涂覆于该管件的镀料、一浸镀单元,及一控制单元,该组装步骤 是将该管件与浸镀单元和控制单元连接,该浸镀步骤是使镀料从浸镀单元 经过该控制单元进入管件内,并在管件内累积上升,该流速控制步骤是调 整镀料进入浸镀槽的回流流速,当完成镀膜时,该镀料经由该控制单元回 流至该浸镀单元,而且得到一内面镀膜的管件,如此就可以完全避免在该 管件的外周面镀覆的情况,同时能大幅降低镀膜成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】第一环保能源科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810145890.X 【申请日】2008-08-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101653755A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101653755B 【授权公告日】2011-11-09 【授权公告年份】2011.0 【发明人】朱昌辉 【主权项内容】1、一种管式镀膜方法,其特征在于其依序包含以下步骤: 一准备步骤,准备一待镀膜的管件、一预备涂覆于该管件的镀料、一 用来容置该镀料的浸镀单元,及一连通该浸镀单元的控制单元,该管件具有 一底部为封闭状的中空管体,及设置于该中空管体且互相间隔设置的一通 料口与一出料口,该浸镀单元具有一界定出一容置空间的浸镀槽、一设置 于该浸镀槽底部并连通该容置空间的流出口、一设置于该浸镀槽顶部且连 通该容置空间的第一流入口,及一与该第一流入口相间隔地设置于该浸镀 槽顶部且连通该容置空间的第二流入口,该控制单元具有一连接于该浸镀 单元的流出口与该管件的通料口之间的第一通道、一连接该浸镀单元的第 一流入口并与该第一通道连通的第二通道、一连接于该管件的出料口与该 浸镀单元的第二流入口之间的第三通道、一设置于该第一通道上的第一阀 门、一设置于该第二通道上的第二阀门、一设置于该第三通道上的感应装 置,及一连接该第一通道上的马达装置; 一组装步骤,是将该管件的通料口以该控制单元的第一通道与该流出 口连接,并开启该第一阀门,该第二通道一端与该第一通道连接且另一端 连接于该浸镀单元的第一流入口,且关闭该第二阀门,将该管件的出料口 以该控制单元的第三通道与该浸镀单元的第二流入口连接,并开启该感应 装置; 一浸镀步骤,启动该控制单元的马达装置,依据一预定的流速,提供镀 料由浸镀单元的流出口经过该控制单元的第一通道和管件的通料口送入管 件内,并使该镀料累积上升; 一流速控制步骤,调整镀料进出该管件的流速为每分钟不小于10厘 米,当镀料至该出料口时,该感应装置关闭第一阀门,并经一延迟时间后,开 启第二阀门,该镀料从管件的出料口与通料口经过控制单元的第三通道和 第二通道送回浸镀单元的浸镀槽内,得到一预定膜厚的待处理管件;以及 一硬化步骤,将经由该流速控制步骤得到的待处理管件进行硬化处 理,得到一完成镀膜的管件。 【当前权利人】第一环保能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄县 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE

  • 【摘要】本发明是一种修正凸块尺寸的方法,包括:提供一晶片且具有一主动面;形成 一光致抗蚀剂层在晶片的主动面上;提供具有一图案的光掩模层,其中该图案为一 几何形状;执行一第一曝光工序,使得光掩模层的图案转移到光致抗蚀剂层上;执 行一显影及蚀刻
  • 【摘要】本发明是有关一种温变式流体化浮动床在线脱附有机物的装置,该装 置包括:一流体化吸附塔、一脱附塔、吸附材输送机构、一终处理单元及 一风机,在该脱附塔加热部是采用均温热交换管壳或板式热交换器结构,并 可增加一加速散热热交换器,而具有均温
  • 【摘要】本发明涉及用于磁盘阵列系统的数据保存方法及其数据保存装置。该 用于一磁盘阵列系统的数据保存方法,包含有检测输入至一电源供应装置 的一交流电源,该电源供应装置用来将该交流电源转换为一直流电源,以 供电至该磁盘阵列系统;以及于该交流电源
  • 【摘要】本发明揭露一种导线架,包含绝缘本体、基座以及支架。基座包含第一表面及相对于第一表面的第二表面。第一表面与绝缘本体构成固晶区域以承载至少一发光晶片。支架包含第一连接部及第二连接部。第一连接部包含露出于绝缘本体的第三表面。第二连接部折弯
  • 【摘要】本发明关于一种半导体装置及形成该半导体装置的方法。该具低能带间隙层的半导体装置包括:含一半导体材质;一栅介电层,位于低能带间隙层上,其中低能带间隙层的能阶低于硅能阶;一栅极,覆盖于栅介电层上;一与栅介电层邻接的第一源漏极区,其中第一
  • 【专利类型】外观设计【申请人】钟伯华【申请人类型】个人【申请人地址】台湾省台中市西屯区朝贵路72号【申请人地区】中国【申请人城市】台湾省【申请号】CN200830157216.4【申请日】2008-12-18【申请年份】2008【公开公告号