【摘要】 本发明公开了一种具有较低电流相变化元件的存储元件。该装置包含一电极元件且电性接触于一相变化层。该相变化层是由一具有至少两种固态相的存储材料所组成。一顶电极元件与该相变化层电性接触于一位置，而该位置远离该电极元件的接触位置。而此结构产生通过该相变化元件的一电流，而该电流的至少一部份是垂直于该电极元件内的电流路径。 ： 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810005318.3 【申请日】2008-01-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101246950B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101246950B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L27/24; H01L23/522; G11C11/56; G11C16/02 【发明人】龙翔澜 【主权项内容】一种存储装置，其特征在于，该装置包含：一电极元件；一相变化层，由具有至少两固态相的一存储材料所形成，且与该电极元件电性接触，一顶电极元件，与该相变化层电性接触于远离该相变化层与该电极元件之间接触位置的一位置；以及一阻挡元件，该阻挡元件与该电极元件分别位于该相变化层的两侧，该阻挡元件在垂直于该相变化层厚度方向的长度大于该电极元件垂直于该相变化层厚度方向的长度，从而定义通过该相变化层的一电流路径，其中该路径的至少一部份垂直于该电极元件内的电流路径。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】9.0 【他引次数】9.0 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】8
