【摘要】 本发明涉及一种具有反射板的发光二极管，包括：基底、位于基底上方的 三族氮化物层、位于三族氮化物层上方的氮化金属层、以及位于氮化金属层上 方的发光层。以及另一种具有反射板的发光二极管，包括：一硅基底；一背 侧接触层，位于该硅基底下方；一第一氮化镓层，位于该硅基底上方；一氮化 金属反射板，位于该第一氮化镓上方；一第二氮化镓层，位于该氮化金属反射 板上方；一发光层，位于该第二氮化镓层上方；一第三氮化镓层，位于该发光 层上方；以及一顶侧接触层，位于该第三氮化镓层上方且经由该第一、该第二、 及该第三氮化镓层而电性连接至该背侧接触层。由此，可以防止发光二极管所 发射的一有效部分的光被吸收，改善了发光二极管的发光效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810176671.8 【申请日】2008-11-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621100A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621100B 【授权公告日】2016-05-04 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】余振华; 邱文智; 陈鼎元; 余佳霖 【主权项内容】1.一种具有反射板的发光二极管，包括： 一基底； 一三族氮化物层，位于该基底上方； 一氮化金属层，位于该三族氮化物层上方；以及 一发光层，位于该氮化金属层上方。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】4.0 【被引证次数】3 【他引次数】4.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】24.0 【家族被引证次数】7
