【摘要】 本发明公开了一种半导体光电元件，包含：基板；半导体系统，包含有源层形成于基板之上；及电极结构，形成于半导体系统之上，此电极结构包含：第一电性接触区或第一电性打线垫，第二电性打线垫，第一电性延伸线路，及第二电性延伸线路，其中第一电性延伸线路与第二电性延伸线路以立体跨接方式交错，且部分第一电性延伸线路与第一电性接触区或第一型打线垫位于有源层的相异两侧。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810184859.7 【申请日】2008-12-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752332A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752332B 【授权公告日】2011-12-28 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L23/48; H01L33/00; H01L31/0224; H01L51/52; H01S5/00 【发明人】陈彦文; 陈威佑; 王健源; 谢明勋; 陈泽澎 【主权项内容】一种半导体光电元件，包含：基板；半导体系统形成于该基板之上，包含有源层；及电极结构，形成于该半导体系统之上，该电极结构包含：第一电性接触区及第一电性打线垫至少其一；第二电性打线垫；第一电性延伸线路；及第二电性延伸线路，其中该第一电性延伸线路与该第二电性延伸线路以立体跨接方式交错，且部分该第一电性延伸线路与该第一电性接触区或该第一电性打线垫位在该有源层的相异两侧。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】3
