【摘要】 本发明揭示一种晶体管结构、动态随机存取存储器结构及其制造方法。 该动态随机存取存储器结构，其有源区域为环形柱体状，具有新颖的垂直式 晶体管结构，其栅极填充于环形柱体的中空内部，上下源/漏极分别位于环形 柱体的上下部。其埋入式位线位于晶体管结构下方的基底内，其字线是水平 配置于栅极上方，其电容结构位于字线及栅极上方，经由一节点接触与上源 /漏极电性连接。节点接触具有ㄇ形盖体状，并以ㄇ形盖体状的顶面与电容结 构电性连接，及以ㄇ形盖体状的侧边底部与上源/漏极电性连接，字线通过节 点接触ㄇ形盖体状的中空处。。微信 【专利类型】发明申请 【申请人】南亚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810149419.8 【申请日】2008-09-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673744A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673744B 【授权公告日】2011-05-18 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/108; H01L29/78; H01L23/522; H01L21/8242; H01L21/336; H01L21/768; H01L21/02; H01L21/70; H01L23/52; H01L29/66 【发明人】黄文魁 【主权项内容】1.一种动态随机存取存储器结构，其特征在于包括： 一基底，具有一平面及突起于该平面的一环形柱体； 一晶体管结构，位于该环形柱体，包括： 一栅极，填充于该环形柱体的中空内部； 一上源/漏极，位于该环形柱体的上部，及 一下源/漏极，位于该环形柱体的下部； 一位线，位于该晶体管结构下方的该基底内，与该下源/漏极电性连接， 与该栅极电性隔离； 一字线，水平配置于该栅极上方，并与该栅极电性连接；及 一电容结构，位于该字线及该栅极上方，并与该上源/漏极电性连接。 【当前权利人】南亚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【引证次数】1.0 【被引证次数】25 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】23.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】25
