【摘要】 本发明有关一种降低栅极漏电流并控制启始电压偏移量的方法和一种互补式金属氧化物半导体装置，该方法在基底上的P型金属氧化物半导体(PMOS)区及N型金属氧化物半导体(NMOS)区进行第一离子注入工艺，以于栅极介电层内或半导体基底内植入氟离子、碳离子、或此二者；及在基底上的NMOS区进行第二离子注入工艺，此时将PMOS区以掩模层覆盖，仅于NMOS区的栅极介电层内或半导体基底内植入氟离子、碳离子、或此二者。如此，PMOS区及NMOS区所得到的注入剂量可不相同，而可补偿等效氧化层厚度不同所引起的负作用，并解决Vt偏移问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810190273.1 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770986A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101770986B 【授权公告日】2014-03-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/8238; H01L27/092 【发明人】林建良; 王俞仁; 高武群; 李映萱; 颜英伟; 詹书俨 【主权项内容】一种降低栅极漏电流并控制启始电压偏移量的方法，包含有：提供半导体基底，该半导体基底具有P型金属氧化物半导体区及一N型金属氧化物半导体区；于该半导体基底上形成栅极介电层；于该栅极介电层上形成栅极材料层；进行第一离子注入工艺，以于该P型金属氧化物半导体区与该N型金属氧化物半导体区的该栅极介电层内或该半导体基底内植入选自氟离子及碳离子所组成的组群的至少一者；及形成掩模层覆盖该P型金属氧化物半导体区，而进行第二离子注入工艺，以于该N型金属氧化物半导体区的该栅极介电层内或该半导体基底内植入选自氟离子及碳离子所组成的组群的至少一者。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】6.0 【被引证次数】8 【他引次数】6.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】8
