【摘要】 一种发光二极管结构的制作方法如下所述。首先，提供一承载基板与配置于其上的一发光二极管芯片。发光二极管芯片具有朝向承载基板的一底面、相对于底面的至少一顶面以及与顶面相连的至少一侧壁，且发光二极管芯片具有配置于顶面上的一电极。接着，于发光二极管芯片的顶面上形成一抗氧化层。然后，施行一氧化法，以于发光二极管芯片的侧壁上形成一绝缘层。之后，移除抗氧化层。 【专利类型】发明申请 【申请人】亿光电子工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县土城市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810186083.2 【申请日】2008-12-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752475A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752475B 【授权公告日】2012-06-20 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】潘科豪 【主权项内容】一种发光二极管结构的制作方法，包括：提供一发光二极管芯片与一承载基板，该发光二极管芯片配置于该承载基板上，该发光二极管芯片具有朝向该承载基板的一底面、相对于该底面的至少一顶面以及与该顶面相连的至少一侧壁，且该发光二极管芯片具有配置于该顶面上的至少一电极；于该承载基板上形成一连续性抗氧化材料层；移除部分该连续性抗氧化材料层，以于该发光二极管芯片的该顶面上及部分该承载基板上形成一抗氧化层，该抗氧化层覆盖配置于该顶面上的该电极，并暴露出该侧壁；施行一氧化法，以于该发光二极管芯片的该侧壁上形成一绝缘层；以及移除该抗氧化层。 【当前权利人】亿光电子工业股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县土城市 【被引证次数】6 【被自引次数】1.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】6
