【摘要】 本发明提供一种介电物质的沉积方法，该介电物质 具有一第一主元素与一第二主元素，其中该第一主元素 与该第二主元素存在于一单一的前驱体中，而该沉积方 法包含下列步骤：脉冲前驱体；清洗多余的前驱体；脉 冲氧化剂；以及清洗多余的氧化剂。 【专利类型】发明申请 【申请人】南亚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810133816.6 【申请日】2008-07-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101624696A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【发明人】聶鑫誉; 黄才育; 谢君毅 【主权项内容】1.一种应用于制造介电物质的前驱体，其中，所述前 驱体是Hf(N(CH3)a)b[N(Si(CH3)c)d]。 【当前权利人】南亚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 【被引证次数】1 【家族被引证次数】1
