【摘要】 本发明提供一种微晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法，其反转通道形成于其微晶硅主动层上方接口，而与该微晶硅主动层下方接口的孕核层分开。本发明的该反转通道形成在该微晶硅主动层上方接口结晶性薄膜中，因而使本发明微晶硅薄膜晶体管具有较好的电性及可靠度。 【专利类型】发明授权 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810082070.0 【申请日】2008-03-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101527319B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101527319B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/786; H01L21/336 【发明人】蔡政儒; 陈柏求; 时定康; 黄俊杰; 叶永辉 【主权项内容】一种微晶硅薄膜晶体管结构，其特征在于，所述的微晶硅薄膜晶体管结构包括：一基板；一微晶硅层，位于所述的基板上方；一对具第一导电性掺质微晶硅层，位于所述的微晶硅层上方；一对源极/漏极电极，分别位于一所述的具第一导电性掺质微晶硅层上；一绝缘层，位于所述的这对源极/漏极电极上方；及一上栅极电极，位于所述的这对源极/漏极电极之间的所述的绝缘层上方；其中所述的这对具第一导电性掺质微晶硅层之间所述的微晶硅层与所述的绝缘层接口具有一通道区。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0
