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二氧化钛薄膜的制备方法专利

发布时间:2026-06-18

【摘要】 本发明是一种二氧化钛薄膜的制备方法,包括:首先,提供一真空腔体,此真空腔体中具有二氧化钛靶材与晶座,其中晶座上放置有塑料基材。接着,填充1~10Pa的等离子体气体到真空腔体,此等离子体气体是由氩气与氧气所组成。前述氩气与氧气的流量比为9∶1~7∶1。最后,再利用溅镀法形成锐钛矿晶相的二氧化钛层于塑料基材上,其中在该溅镀过程中该塑料基材温度维持在50~180℃。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人纺织产业综合研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾台北县土城市承天路6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810174897.4 【申请日】2008-11-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736295A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101736295B 【授权公告日】2012-10-10 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C23C14/34; C23C14/08 【发明人】胡瑞楷; 陈宏昌; 林文婷 【主权项内容】一种二氧化钛薄膜的制备方法,至少包含:提供一真空腔体,该真空腔体中具有二氧化钛靶材与一晶座,其中该晶座上放置有一塑料基材;填充1~10Pa的一等离子体气体到该真空腔体,该等离子体气体是由氩气与氧气所组成,其中该氩气与该氧气的流量比为9∶1至7∶1;以及利用溅镀法形成锐钛矿晶相的二氧化钛层于该塑料基材上,其中在该溅镀过程中将该塑料基材温度维持在50~180℃。 【当前权利人】财团法人纺织产业综合研究所 【当前专利权人地址】中国台湾台北县土城市承天路6号 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2

  • 【摘要】一种元件图案的制造方法,可形成线距小于曝光极限的图案。此方法包括 下列步骤;首先,于衬底上的预定区域中形成具有第一密度的第一图案,第一 图案包括沿着第一方向的基部及沿着第二方向的至少二个突出部,且突出部与 基部相连。接着,于各个突出
  • 【摘要】一种自动选择网络联机的装置包括第一连接端口、第二连接端口、第一网络联机单元、第二网络联机单元、控制单元与切换单元。当第一网络联机单元正常运作时,切换单元将第一网络联机单元与第一连接端口电性连接,以由第一网络联机单元收发网络讯号。当第
  • 【专利类型】外观设计【申请人】郭华宗【申请人类型】个人【申请人地址】中国台湾台南市安南区城西里城西街三段450号1楼【申请人地区】中国【申请人城市】台湾省【申请号】CN200830112350.2【申请日】2008-08-11【申请年份】2
  • 【摘要】一种具有静电引导结构的电子装置,包含金属壳体、导电片与电绝缘片。 导电片一端电性连接至一导电区,另一端则具有至少一个端点。该电绝缘片设 置于该金属壳体与该导电片之间,以使该端点位于该电绝缘片的边缘并距离该 金属壳体一特定距离。因此,
  • 【摘要】图像处理方法与系统。区模块接收第一摄像机的第一视频信号并在与之有关的第一图像中检测区。第一查找表根据区块的与在第一图像的第一消失点有关的形式产生属性值。卷标模块辨识各区中,最接近该消失点的第一点、距离该消失点最远的第二点、第一点与第
  • 【摘要】本发明提供一种薄膜移除设备及移除薄膜的方法,其中薄膜移除设备包 括:研磨头、超声波震荡装置以及微粒移除装置。超声波震荡装置用来驱动研 磨头,以去除位于基材上的薄膜。微粒移除装置用来移除由该薄膜所产生的多 个微粒。【专利类型】发明申请