【摘要】 本发明是关于一种堆栈式半导体封装结构，其包括一载体、一第一半导体组件、一第二半导体组件、数条第一导线及数条第二导线。该载体具有数个电性连接处。该第一半导体组件具有数个第一焊垫。该第二半导体组件具有数个第二焊垫，该第二半导体组件是迭设于该第一半导体组件之上。所述第一导线电性连接该第一半导体组件的所述第一焊垫及该载体的所述电性连接处。所述第二导线电性连接该第二半导体组件的所述第二焊垫及该载体的所述电性连接处，其中所述第二导线的外径是大于所述第一导线的外径。藉此，可以减少导线材料的使用，进而减少制造成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810081051.6 【申请日】2008-02-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101232012B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101232012B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L25/00; H01L25/065; H01L23/49 【发明人】洪松井; 黄文彬 【主权项内容】一种堆栈式半导体封装结构，包括：载体，具有数个电性连接处；第一半导体组件，具有数个第一焊垫；第二半导体组件，具有数个第二焊垫，该第二半导体组件是迭设于该第一半导体组件之上；数条第一导线，电性连接该第一半导体组件的所述第一焊垫及该载体的所述电性连接处；及数条第二导线，电性连接该第二半导体组件的所述第二焊垫及该载体的所述电性连接处，其中所述第二导线的外径是大于所述第一导线的外径，其中，所述第一焊垫的面积小于所述第二焊垫的面积。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4
