【摘要】 一种薄膜晶体管，包括栅极、至少一无机材料层、至少一介电层、源极、漏极与有源层。栅极，位于基板上。无机材料层，覆盖住栅极。介电层至少包括有机材料，覆盖于基板上，其具有开口，裸露出栅极上的无机材料层。源极与漏极，分别位于介电层以及开口所裸露出的部分无机材料层上，源极与漏极之间具有沟道区。有源层，位于沟道区上。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185612.7 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752424A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752424B 【授权公告日】2011-10-26 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/786; H01L51/05; H01L51/30; H01L29/66 【发明人】颜精一; 陈良湘 【主权项内容】一种薄膜晶体管，包括：栅极，位于基板上；至少一无机材料层，覆盖住该栅极；至少一介电层，包括有机材料，覆盖于该基板上，其具有开口，裸露出该栅极上的该无机材料层；源极与漏极，分别位于该介电层以及该开口所裸露出的部分该无机材料层上，该源极与该漏极之间具有沟道区；以及有源层，位于该沟道区上。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】2.0 【被引证次数】10 【他引次数】2.0 【被自引次数】3.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10
