【摘要】 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其包括：形成一半导体层于一基板上；形成一具有第一厚度以及一第二厚度的图案化光致抗蚀剂层于半导体层上；以图案化光致抗蚀剂层为掩模，图案化半导体层以形成一图案化半导体层；移除第二厚度的图案化光致抗蚀剂层；以第一厚度的图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行一第一离子注入工艺于图案化半导体层上；移除第一厚度的图案化光致抗蚀剂层；形成一介电层与一栅极于该图案化半导体层上；以及以栅极作为掩模，进行一第二离子注入工艺于图案化半导体层上。 【专利类型】发明申请 【申请人】统宝光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810180071.9 【申请日】2008-11-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740524A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740524B 【授权公告日】2013-10-30 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L21/336; H01L21/70; H01L21/02 【发明人】廖国助; 蔡善宏; 陈素芬; 钟明佑 【主权项内容】一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：提供一基板，于该基板上形成一半导体层；形成一图案化光致抗蚀剂层于该半导体层上，其中该图案化光致抗蚀剂层具有一第一厚度以及一第二厚度，且该第一厚度大于该第二厚度；以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，图案化该半导体层以形成一包括有一第一图案化半导体层及一第二图案化半导体层；移除该第二厚度的该图案化光致抗蚀剂层；以该第一厚度的该图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行一第一离子注入工艺于该图案化半导体层上，以形成该第二图案化半导体层中的源极/漏极区；移除该第一厚度的该图案化光致抗蚀剂层；以及形成一第一介电层与一栅极于该图案化半导体层上。 【当前权利人】群创光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾苗栗县 【被引证次数】10 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】10
