【摘要】 本发明公开了一种测试封装后的场效应管的导通电阻的方法、装置及系统，包括：将封装后的场效应管的漏极通过所述的测试插座的第一接触弹片和第二接触弹片分别与电压表以及恒流源的正极相连，且将封装后的场效应管的源极通过所述测试插座的第三接触弹片和第四接触弹片分别与电压表以及恒流源的负极相连；根据所述电压表输出的电压值以及所述恒流源输出的电流值，确定所述场效应管的导通电阻。根据本发明实施例提供的上述技术方案，能够根据电压表输出的电压值以及恒流源输出的电流值准确测得被测场效应管的导通电阻。 【专利类型】发明申请 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810247313.1 【申请日】2008-12-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101769964A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G01R27/14; G01R1/04 【发明人】郑方伟; 汤画; 邱海亮 【主权项内容】一种测试封装后的场效应管的导通电阻的系统，其特征在于，包括：封装后的场效应管、恒流源、电压表以及测试插座；所述封装后的场效应管的漏极通过所述测试插座的第一接触弹片与所述电压表的正极相连，通过所述测试插座的第二接触弹片与所述恒流源的正极相连；所述封装后的场效应管的源极通过所述测试插座的第三接触弹片与所述电压表的负极相连，通过所述测试插座的第四接触弹片与所述恒流源的负极相连。 【当前权利人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区成府路298号方正大厦9层; 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E 【被引证次数】29 【被自引次数】2.0 【被他引次数】27.0 【家族被引证次数】29
