【摘要】 一种像素结构，配置于一基板上，并与一扫描线以及一数据线电性连接，像素结构包括主动元件、下电容电极、绝缘层以及像素电极。主动元件配置于基板上，其中主动元件具有栅极、源极以及漏极，且主动元件与扫描线以及数据线电性连接。下电容电极与栅极彼此分离地配置于基板上。绝缘层覆盖主动元件以及下电容电极，其中绝缘层是由单一膜层所组成。像素电极与主动元件电性连接，且至少部分像素电极延伸至下电容电极上方的绝缘层上。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810097259.7 【申请日】2008-05-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101271905B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101271905B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/12; H01L23/522; G02F1/1362 【发明人】廖信铭; 黄国有; 林汉涂 【主权项内容】一种像素结构，配置于一基板上，并与一扫描线以及一数据线电性连接，其特征在于，该像素结构包括：一主动元件，配置于该基板上，其中该主动元件具有一栅极、一源极以及一漏极，且该主动元件与该扫描线以及该数据线电性连接；一下电容电极，与该栅极彼此分离地配置于该基板上；一绝缘层，覆盖该主动元件以及该下电容电极，其中该绝缘层是由单一膜层所组成；以及一像素电极，直接配置于该绝缘层上，该像素电极与该主动元件电性连接，且至少部分该像素电极延伸至该下电容电极上方的该绝缘层上，其中该像素电极，该由单一膜层所组成的绝缘层，以及该下电容电极形成一存储电容。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【家族被引证次数】6
