【摘要】 本发明提供一种调变触发式静电放电防护器件，该器件包括一半导体基底，一高压N-型阱于该P-型半导体基底中，一N-型漏极飘移(NDD)区、一第一P-型体掺杂区及一第二P-型体掺杂区设置于该高压N-型阱中，其中该第一P-型体掺杂区和该第二P-型体掺杂区相隔一特定距离，且其中NDD区和该第一P-型体掺杂区隔以一隔离区。一N-型漏极掺杂区设置于该NDD区中，一N-型浓掺杂区设置于该第一P-型体掺杂区中，一P-型浓掺杂区设置于该第二P-型体掺杂区中，一第一栅极设置于该N-型浓掺杂区与该隔离区间，以及一第二栅极设置于该N-型浓掺杂区与该P-型浓掺杂区间。本发明有效地降低触发电压，减少器件占据的面积，有利于器件布局微缩。 【专利类型】发明授权 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810095226.9 【申请日】2008-05-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101577275B 【公开公告日】2010-09-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101577275B 【授权公告日】2010-09-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/06; H01L23/522 【发明人】周业宁; 邱华琦 【主权项内容】一种调变触发式静电放电防护器件，其特征在于，该器件包括：一半导体基底；一第一晶体管，具有一连接一第一电位的第一漏极、一连接一第二电位的第一源极、一连接一电容的第一端且连接一电阻的第二端的第一栅极；一第二晶体管，具有一连接所述的第一晶体管的基体的第二漏极、一连接所述的第二电位和所述的电阻的第一端的第二源极、一连接所述的第一晶体管的第一栅极的第二栅极，其中所述的第二晶体管的基体连接所述的第一电位且连接至所述的电容的第二端。 数据由整理 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0
