【摘要】 本发明公开了一种具有凸块的基板工艺及基板结构。该基板工艺包含下列步骤：首先，提供具有本体及多个导电元件的金属基材，接着，形成第一介电层于该本体，且该第一介电层包覆该导电元件，之后，形成多个线路及多个接点于该第一介电层的表面，且该接点电连接该导电元件，接着，形成第二介电层于该第一介电层的该表面，该第二介电层覆盖该线路，最后，图案化该本体以形成多个凸块，该凸块通过该导电元件电连接该接点。本发明通过蚀刻该本体以形成该凸块，其可使该凸块与该导电元件间的结合强度佳，且可降低工艺成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810001488.4 【申请日】2008-01-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101221908B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101221908B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/48; H01L23/498 【发明人】王建皓 【主权项内容】一种具有凸块的基板工艺，其包含：提供金属基材，该金属基材具有本体及多个导电元件，该本体具有上表面及下表面，该多个导电元件形成于该本体的该下表面；形成第一介电层于该本体的该下表面，且该第一介电层包覆该多个导电元件，该第一介电层具有第一表面及第二表面；形成多个第一线路及多个接点于该第一介电层的该第二表面，且该多个接点电连接该多个导电元件；形成第二介电层于该第一介电层的该第二表面，该第二介电层覆盖该多个第一线路；以及图案化该本体以形成多个凸块，该多个凸块通过该多个导电元件电连接该多个接点。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】3
