【摘要】 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一半导体基 底、一发光二极管芯片、至少两个分隔的外部导线层以及一透镜模块。半导 体基底具有一凹穴，而发光二极管芯片设置于凹穴内。外部导线层设置于半 导体基底的下表面且电性连接至发光二极管芯片，用以作为输入端。透镜模 块贴附于半导体基底的上表面，以覆盖凹穴，包括：一模塑透镜及一透明导 电层。透明导电层上涂覆一荧光材料且位于模塑透镜下方。本发明可改善荧 光层的厚度均匀性，且由于荧光层经由电泳沉积而成并可通过晶片级封装 (wafer level package)技术进行LED装置的封装，故可达到较高的生产速率 并降低制造成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】采钰科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185358.0 【申请日】2008-12-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661979A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661979B 【授权公告日】2011-06-01 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】林孜翰; 翁瑞坪; 林孜颖; 傅国荣 【主权项内容】1.一种半导体装置，包括： 一半导体基底，具有一凹穴； 一发光二极管芯片，设置于该凹穴内； 至少两个分隔的外部导线层，设置于该半导体基底的下表面且电性连接 至该发光二极管芯片，用以作为输入端；以及 一透镜模块，贴附于该半导体基底的上表面，以覆盖该凹穴，包括： 一模塑透镜；以及 一透明导电层，其上涂覆一荧光材料且位于该模塑透镜下方。 【当前权利人】采钰科技股份有限公司; 旭明光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市; 中国台湾苗栗县 【被引证次数】11 【被自引次数】1.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】44
