【摘要】 一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，属于磁随机存储技术领域，所提供的双自由层垂直铁磁性隧道结(MTJ)结构的最底层为底电极层，从底往上依次为反铁磁层、钉扎层、为绝缘层、第1自由层、第2自由层、顶电极层。第1自由层和第2自由层构成双自由层结构。所述钉扎层和第1自由层为磁各向异性易轴垂直膜面材料，第2自由层为各向异性值大于35KA/m的面内磁各向异性材料。这种结构具有低写入电流特性，可实现超高存储密度，将被广泛应用到新型磁传感器或磁随机存储器件等器件中。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810103181.5 【申请日】2008-04-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101276879B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101276879B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L43/08; H01L27/22; G11C11/15; G11C11/16; H01F10/32 【发明人】姜勇; 包瑾; 徐晓光 【主权项内容】一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，其特征在于：a.最底层为底电极层，厚度为10～200纳米；b.从底往上第二层为反铁磁层，厚度为10～20纳米；c.从底往上第三层为钉扎层，所述钉扎层为磁各向异性易轴垂直膜面材料；d.从底往上第四层为绝缘层，厚度为0.5～2.5纳米；e.从底往上第五层为第1自由层，厚度为1～10纳米；f.从底往上第六层为第2自由层，厚度为1～10纳米；g.从底往上第七层为顶电极层，厚度为10～200纳米；其中所述第五层和所述第六层构成双自由层结构，所述第1自由层为磁各向异性易轴垂直膜面材料，所述第2自由层为各向异性值大于35KA/m的面内磁各向异性材料。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【引证次数】8.0 【自引次数】1.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】17
