【摘要】 一种金属有机物化学气相沉积装置，其特征在于，包括：一反应室， 该反应室用于同时生长氮化物和氧化锌的半导体外延薄膜材料；一有机源 通道，该有机源通道的一端与反应室的一入口连接，用于为反应室生长氮 化物或者氧化锌材料提供金属源材料；一气源通道，该气源通道的一端与 反应室的另一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供氮 源或者氧源；一气路分配单元，该气路分配单元的输出端与有机源通道和 气源通道的另一端连接；一有机源，该有机源通过管路与气路分配单元的 输入端连接；一载气，该载气通过管路与气路分配单元的输入端连接；一 气源，该气源通过管路与气路分配单元的输入端连接。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810118737.8 【申请日】2008-08-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101654773A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【发明人】段瑞飞; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 【主权项内容】1.一种金属有机物化学气相沉积装置，其特征在于，包括： 一反应室，该反应室用于同时生长氮化物和氧化锌的半导体外延薄膜 材料； 一有机源通道，该有机源通道的一端与反应室的一入口连接，用于为 反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供金属源材料； 一气源通道，该气源通道的一端与反应室的另一入口连接，用于为反 应室生长氮化物或者氧化锌材料提供氮源或者氧源； 一气路分配单元，该气路分配单元的输出端与有机源通道和气源通道 的另一端连接； 一有机源，该有机源通过管路与气路分配单元的输入端连接； 一载气，该载气通过管路与气路分配单元的输入端连接； 一气源，该气源通过管路与气路分配单元的输入端连接。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
