【摘要】 一种借助保护层的取样光栅的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、有源区、上波导层和保护层；在保护层之上，均匀地涂上一层光刻胶，借助于取样光栅光刻版，在光刻胶上曝光出需要制作光栅的区域；将曝光后的结构进行选择性腐蚀；去除剩余的光刻胶，并清洗，将半导体波导结构再涂上一层均匀的光刻胶，并对其进行全息曝光，使光刻胶上印制出光栅轮廓，然后显影；对半导体波导结构进行离子刻蚀，然后再用腐蚀液修整光栅形貌，此时光栅间隔地周期性地制作于保护层和上波导层之上；对半导体波导结构进行选择性腐蚀，将剩余的保护层腐蚀掉，从而在上波导层上获得完整的取样光栅。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116415.X 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625440B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101625440B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02B6/124; G03F7/00 【发明人】王桓; 阚强; 周帆; 王宝君; 朱洪亮 【主权项内容】一种借助保护层的取样光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、有源区、上波导层和保护层，得到半导体波导结构；步骤2：在保护层之上，均匀地涂上一层光刻胶，借助于取样光栅光刻版，在光刻胶上曝光出需要制作光栅的区域；步骤3：将曝光后的半导体波导结构进行选择性腐蚀，将没有光刻胶保护的区域中的保护层腐蚀掉，而有光刻胶保护的区域中的保护层得以保留；步骤4：去除剩余的光刻胶，并清洗，将半导体波导结构再涂上一层均匀的光刻胶，并对其进行全息曝光，使光刻胶上印制出光栅轮廓，然后显影；步骤5：对半导体波导结构进行离子刻蚀，然后再用腐蚀液修整光栅形貌，此时光栅间隔地周期性地制作于保护层和上波导层之上；步骤6：对半导体波导结构进行选择性腐蚀，将剩余的保护层腐蚀掉，从而在上波导层上获得完整的取样光栅。。微信 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】7.0 【自引次数】2.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】4
