【摘要】 本发明公开了属于医疗、美容器械及微细加工技术领域的一种微型实心或空心硅针、硅针阵列及其制造方法。微型硅针针头的下端为柱状体，针头的上端针尖部分至少存在弧形或有一个或多个尖角形成针的顶点，顶点上开有与底面倒三角形沟槽相连的通孔，采用微电子工艺制备在(110)面晶向单晶硅片的正、反两面上，采用各向异性自停止湿法腐蚀的方法，同时批量加工出由6个硅(111)面形成的两种倒三角形沟槽，然后采用DRIE方法在正面倒三角形沟槽中同时形成硅针及其与反面倒三角形沟槽相连的通孔。本发明能够低成本、高产率、批量化的制造出结构坚固的实心、空心硅针阵列，在透皮给药、微量体液提取等生物医学领域具有广阔的应用前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084-82信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810100806.2 【申请日】2008-02-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101244303B 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101244303B 【授权公告日】2010-09-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】A61M5/32; A61M5/158; A61M23/00; A61M25/00; H01L21/00; B81C1/00; A61M37/00 【发明人】岳瑞峰; 王燕; 刘理天 【主权项内容】一种微型空心硅针、硅针阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在(110)面晶向的单晶硅片的正、反两面上制备对硅进行各向异性湿法腐蚀时所需的掩蔽膜；(2)分别在硅片的正、反两面上选择性地去除部分硅片上的掩蔽膜，从而将第一光刻掩膜板上的图形转移到硅片上；(3)放入硅的各向异性湿法腐蚀溶液中对硅进行各向异性腐蚀，最终在硅片的正、反两面上形成由6个硅(111)面构成的两种倒三角形沟槽；(4)将硅片上的掩蔽膜全部清除干净后，在其正面制备DRIE法干法刻蚀硅时使用的掩蔽膜；(5)选择性地去除硅片正面上的掩蔽膜，从而将第二光刻掩膜板上的图形转移到硅片上；(6)采用DRIE设备和Bosch工艺进行硅的湿法刻蚀，最终形成硅针及其正面与反面的倒三角形沟槽相连的通孔；(7)清除硅片上的掩蔽膜，完成空心硅针及其阵列的制备。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084-82信箱 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【被引证次数】9 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】27
