【摘要】 一种活菌种诱变非真空离子注入方法，改变以往离子注入菌种诱变需要采用干燥的菌种孢子，放入真空室靶盘离子注入的方法。由于菌种干燥孢子的生命活度低，处于休眠状态，离子注入后诱变效率低。活菌种诱变非真空离子注入方法，采用高能离子注入机引出的离子束流，轰击菌种培养箱内正在萌发的菌种孢子，使正在萌发的菌种孢子中的水和有机分子产生自由基、基因断裂、离子注入、注入离子参与DNA分子链的断裂重组。非真空离子注入方法选定的特定离子注入参与菌种内DNA分子链断裂重组，此方法将培育出特殊变异的优良菌种。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京市辐射中心 【申请人类型】机关团体 【申请人地址】100875 北京市海淀区新外大街19号北京师范大学核科学与技术学院 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810180816.1 【申请日】2008-11-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736001A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C12N13/00; C12N15/01 【发明人】丁晓纪; 王乃彦; 张丰收; 王广甫; 温贤芳; 刘志恒; 李淑荣; 刘梅; 张根发; 房惠荣; 谢立清; 张涛; 刘晓光; 夏季; 李晓明; 孙振月 【主权项内容】一种活菌种诱变非真空离子注入方法，其特征在于采用高能量离子注入机，应用高能量离子束流，穿过钛、不锈钢制成的隔真空透离子窗，在离子注入机真空系统外得到离子束流，用此离子束流穿透一个有机薄膜隔菌窗窗口进入菌种培养箱，在菌种培养箱内控制温度、湿度、可调气氛促使离子注入前菌种孢子萌发；然后，将承载着正在萌发生长的菌种孢子的培养皿放置在靶位上进行离子注入，正在萌发生长菌种孢子受到离子的轰击在其内部发生基因断裂、DNA重组现象，以诱发活菌种变异，改变微生物菌种生长特性；微生物科学家可以在这些变异中，筛选出具有优良变异特性的菌种；其中，离子注入离子能量为：1兆电子伏特-1000兆电子伏特；其中，菌种接受离子注入计量为：102-1017离子/平方厘米；其中，离子注入非金属离子选自：H、N、C、O、P、S、B、I、Si、Se元素；其中，离子注入金属离子选自：K、Ca、Na、Mg、Sr、Mn、Zn、Fe、Cr、Cu、Ge元素。 【当前权利人】北京市辐射中心 【当前专利权人地址】北京市海淀区新外大街19号北京师范大学核科学与技术学院 【统一社会信用代码】12110000400689687F
