【摘要】 本发明是一种镁基热电材料的制备方法，利用半固态制备和放电 等离子烧结成型结合的方法，以高纯镁、硅、锡粉为原料，升温到合 金的半固态区，在合金的凝固过程中，对其进行强力搅拌，然后快速 冷却。粉碎合成后的镁基热电材料并且研磨成粉，最后利用放电等离 子烧结成型。本发明的特点是工艺简便，合成时间短，制备出的镁基 热电材料热电性能优良、组织均匀、晶粒细小、无枝晶和偏析。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810056869.2 【申请日】2008-01-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100581692C 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100581692C 【授权公告日】2010-01-20 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】B22F9/04; H01L35/34; B22F9/02 【发明人】宋仁伯; 杜大伟; 刘娜娜 【主权项内容】1.一种镁基热电材料的制备方法，其特征在于制备步骤如下： a.将镁基热电材料按照化学式为Mg2Si1-XSnX固溶体的化学配比进 行称量，其中x选自下列数值中的任意一个：0、0.2、0.4， 0.6、0.8、1.0，然后利用震动式混料机进行预混合20～30分 钟； b.将混合均匀的原料装进刚玉坩埚压实，上层覆盖KCl溶盐，放 入预热到500℃的井式电阻炉中然后加热到857℃保温1h，在 整个过程中通入氩气保护； c.升温到1000～1050℃之间，在有保护气氛的环境下，在液固两 相温度区间内对其进行强烈的机械搅拌，使其原料进一步混合 反应，均匀生成目标固溶体； d.粉碎半固态制备后的样品，研磨成粉，筛取粒径＜75μm的粉料， 利用放电等离子技术烧结成型，所述放电等离子技术烧结成型 的升温步骤为：8min升温到600℃，然后到650℃、2min，到 680℃、2min，到700℃、1min；最后在700℃、30MPa下，烧 结成型并保温8min。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4
