【摘要】 本发明公开了一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法，主要包括：根据P型金属氧化物半导体的阈值电压VTP，确定P型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果对生成栅氧层后的硅片进行P型离子普注；根据N型金属氧化物半导体的阈值电压VTN以及所述P型离子的注入剂量以及能量，确定N型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果以及对所述硅片进行P阱光刻时使用的P阱光刻版对经过P型离子普注的硅片进行光刻以及N型离子注入。根据该技术方案能够准确地调节VTP以及VTN，并且节约了工艺成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240827.4 【申请日】2008-12-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764094A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764094B 【授权公告日】2012-07-11 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/8238; H01L21/70 【发明人】李如东; 谭志辉; 谭灿建 【主权项内容】一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法，其特征在于，包括：根据P型金属氧化物半导体的阈值电压VTP，确定P型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果对生成栅氧层后的硅片进行P型离子普注；根据N型金属氧化物半导体的阈值电压VTN以及所述P型离子的注入剂量以及能量，确定N型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果以及对所述硅片进行P阱光刻时使用的P阱光刻版对经过P型离子普注的硅片进行光刻以及N型离子注入。 【当前权利人】深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E 【被引证次数】4 【被自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4
