【摘要】 本发明提供了一种背面出光的单芯片白光LED及其制备方法，在双面抛光的蓝宝石衬底上依次层叠非掺杂GaN层、蓝光有源层、黄绿光光致荧光层、n型欧姆接触层、紫外光有源层和p型欧姆接触层，其中：所述紫外光有源层是可发射紫外光波段的量子阱；所述黄绿光光致荧光层是在制备时引入缺陷而形成的非掺杂GaN层，可在紫外光激发下发出黄绿色荧光。紫外光有源层发射的紫外光部分通过荧光转换得到的黄绿光，部分被蓝光有源层吸收激发出蓝光，黄绿光和蓝光混合得到白光，经衬底的另外一面出射。本发明利用了荧光层发光和倒装焊工艺背面出光的技术优势，只需单一芯片即可发出白色光，制备工艺简单，无需荧光粉，受命长，具有较高光的电转化效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810104053.2 【申请日】2008-04-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101562222B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101562222B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】张国义; 杨志坚; 方浩; 陶岳彬; 桑立雯; 李丁 【主权项内容】一种背面出光的单芯片白光发光二极管，包括一非掺杂GaN层、一蓝光有源层、一黄绿光光致荧光层、一n型欧姆接触层、一紫外光有源层和一p型欧姆接触层，依次层叠于双面抛光的蓝宝石衬底上，其中所述紫外光有源层是可发射紫外光波段的量子阱，所述黄绿光光致荧光层是可在紫外光激发下发出黄绿色荧光的非掺杂GaN层，其特征在于：所述黄绿光光致荧光层是通过在生长GaN层时提高氨气源的流量将五族源和三族源的比例提高至2000-10000，或者降低生长温度至900-1000℃引入缺陷而得到的非掺杂GaN层。。： 【当前权利人】江苏华功半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【引证次数】5.0 【被引证次数】2 【他引次数】5.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】8
