【摘要】 本发明公开了一种抑制回旋管放大器双阳极磁控式注入电子枪区振荡的方法，该方法包括：对第一阳极外侧壁金属表面进行粗糙化处理；在粗糙化后的第一阳极外侧壁金属表面涂一层衰减材料；将涂有衰减材料的样品放入氢炉中高温烧结。利用本发明，有效地抑制了回旋管放大器双阳极磁控式注入电子枪区的振荡，避免了对回旋管放大器稳定工作造成的危害。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院电子学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080 北京市海淀区北四环西路19号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810114538.X 【申请日】2008-06-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101599401B 【公开公告日】2010-11-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101599401B 【授权公告日】2010-11-03 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01J9/02; H01J3/02; H01J23/02 【发明人】徐寿喜; 刘濮鲲; 张世昌; 顾伟 【主权项内容】一种抑制回旋管放大器双阳极磁控式注入电子枪区振荡的方法，其特征在于，该方法包括：对第一阳极外侧壁金属表面进行粗糙化处理；在粗糙化后的第一阳极外侧壁金属表面涂一层衰减材料，该衰减材料为FeSiAl，或者为能够抑制高频振荡的无磁性衰减材料；将涂有衰减材料的样品放入氢炉中高温烧结。 【当前权利人】中国科学院电子学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区北四环西路19号 【统一社会信用代码】12100000400012406C 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】1
