【摘要】 本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器，属半导体光电子领 域。其特征在于，包括P型电极(1)，P型Si衬底(2)，金属键合层(3)， P型分布布拉格反射镜(DBR)(4)，氧化限制层(5)，有源区(6)，N 型DBR(7)，SiO2掩膜(8)，聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)(9)，N 电极(10)，光子晶体(11)，出光窗口(12)。在该结构的垂直腔面发射 激光器中引入光子晶体，可增大氧化孔径，提高单模输出功率，同时采用 键合技术将传统VCSEL外延片转移到Si衬底上和采用底部出光的设计， 便于拉近VCSEL外延片有源区与Si衬底的距离，改善器件热学特性，进 一步提高单模输出功率。 数据由整理 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119581.5 【申请日】2008-09-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101667715A 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101667715B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01S5/183; H01S5/187; H01S5/343; H01S5/00 【发明人】渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王科; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠 【主权项内容】1、一种单模高功率垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括： 一P型电极(1)，该电极(1)制作在衬底(2)的下面，电极材料为 TiAu或TiPtAu； 一Si衬底(2)，采用P型Si衬底； 一金属键合层(3)，通过金属键合的方法将VCSEL外延层从GaAs 衬底转移到P型Si衬底； 一P型DBR(4)，用于反射激光腔内的光来形成激光振荡，组成DBR 的每对材料为调制掺杂且组分渐变的AlGaAs材料，提供低电阻和高反射 率； 一氧化限制层(5)，通过对该层湿法氧化形成电、光限制； 一有源区(6)，该有源区材料是InGaAs、AlGaInAs、InGaNAs等量 子阱材料或着InGaAs/InAlAs量子点材料，有源区厚度为1λ，λ为激射波 长用于产生光增益； 一N型DBR(7)，用于反射激光腔内的光来形成激光振荡，DBR的 每对材料为调制掺杂且组分渐变的AlGaAs或突变的AlGaAs材料，提供 低电阻和高反射率； 一SiO2掩膜(8)，采用等离子增强型化学汽相淀积(PECVD)方法 淀积，起到绝缘层的作用； 一聚酰亚胺(9)，用于通过聚酰亚胺固化台面技术，垫高台面，防止 电极断路； 一N型电极(10)，电极材料为AuGeNi/Au； 一光子晶体(11)，用于改善VCSEL模式特性，通过电子束曝光和ICP 刻蚀的方法制备得到；以及 一出光窗口(12)。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】47 【被自引次数】9.0 【被他引次数】38.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】49
