【摘要】 本发明涉及一种具有功能特性的异质结场效应管，包括在n型或p型衬 底1上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，在p型或n型钙钛矿氧化物材 料层上刻蚀一槽，该槽一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极，另一侧的钙钛矿氧 化物材料层为漏极，在源极、漏极和槽上沉积栅绝缘材料，并且在源极和漏极 之上的栅绝缘材料部分分别刻蚀一源电极引线孔和漏电极引线孔，在该源电极 引线孔内制备源电极，在漏电极引线孔内制备漏电极，在栅绝缘材料上制备栅 电极7。源极和漏极还可以由两层或两层以上的钙钛矿氧化物p-n异质结材料 组成。本发明提供的硅和氧化物场效应管不仅把钙钛矿氧化物和硅电子学结合 起来，具有功能特性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810118114.0 【申请日】2008-08-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101651151A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101651151B 【授权公告日】2012-04-18 【授权公告年份】2012.0 【发明人】吕惠宾; 杨芳; 何萌; 金奎娟; 杨国桢 【主权项内容】1、一种具有功能特性的异质结场效应管，衬底(1)、源极(2)、漏 极(3)、栅绝缘材料层(4)、源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)； 其特征在于，所述的衬底(1)是n型或p型硅单晶基片； 所述的源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)为导电金属层； 其中所述的在n型或p型衬底(1)上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材 料层，并在所述的p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽一侧的 钙钛矿氧化物材料层为源极(2)，另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极(3)， 在所述的p型或n型源极(2)、漏极(3)和所述的槽上沉积所述的栅绝缘 材料层(4)，并且在源极(2)和漏极(3)之上的栅绝缘材料层(4)部分 分别刻蚀一源电极引线孔和漏电极引线孔，在该源电极引线孔内制备所述的 源电极(5)，在漏电极引线孔内制备所述的漏电极(6)，在所述的栅绝缘 材料层(4)上制备所述的栅电极(7)； 所述的源极(2)和漏极(3)是钙钛矿氧化物材料； 所述的栅绝缘材料层(4)为非晶的SiO2材料。 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C
