【摘要】 （，） 一种流化床制备高纯度多晶硅颗粒的方法及流化床反应器，所述流化床反应器加热区和反应区在结构上相互隔开，该方法包含以下步骤：a)在反应器的加热区，通入不含硅流化气体使加热区的多晶硅颗粒处于流化状态，通过加热装置将多晶硅颗粒加热；b)加热后的多晶硅颗粒输送到反应区，在反应区通入含硅气体，含硅气体在多晶硅颗粒表面发生热分解或还原，产生单质硅并沉积在颗粒表面；c)在反应器下部将部分粒径为0.1～10mm的多晶硅颗粒作为产品取出；d)在反应区上部，加入作为晶种的直径为0.01～1.0mm的多晶硅细颗粒以维持反应器内多晶硅颗粒的量。本发明技术具有反应器器壁硅沉积少、反应器连续操作且运行周期长、能耗低等优点。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116150.3 【申请日】2008-07-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101318654B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101318654B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B33/03; C30B29/06; C30B25/00; C30B28/14; B01J8/24 【发明人】王铁峰; 魏飞; 王金福; 朱杰 【主权项内容】一种流化床反应器制备高纯度多晶硅颗粒的方法，包括反应区和加热区，通过使含硅气体热分解或还原产生单质硅并沉积在多晶硅颗粒的表面，其特征在于，加热区和反应区在结构上相互隔开，所述方法包含以下步骤：a)在反应器的加热区，通入不含硅流化气体使加热区的多晶硅颗粒处于流化状态，通过加热装置将多晶硅颗粒加热，使多晶硅颗粒表面温度高于含硅气体的分解温度，低于多晶硅颗粒的熔化温度1420℃；b)加热后的多晶硅颗粒输送到反应区，在反应区通入含硅气体，或通入含硅气体与不含硅流化气体的混合物，使反应区的多晶硅颗粒流化，含硅气体在多晶硅颗粒表面发生热分解或还原，产生单质硅，并沉积在多晶硅颗粒表面，使多晶硅颗粒逐渐长大；c)多晶硅颗粒在反应区内产生分级，在反应器下部将部分粒径为0.1～10mm的多晶硅颗粒作为产品取出，反应器上部的多晶硅颗粒输送到加热区进行加热；d)在反应区上部，间歇或连续地加入作为晶种的直径为0.01～1.0mm的多晶硅细颗粒，以维持反应器内多晶硅颗粒的量。 ： 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【引证次数】11.0 【被引证次数】11 【他引次数】11.0 【被他引次数】11.0 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】43
