【摘要】 一种晶圆承载装置，包括：晶圆架台，聚焦环，设于所述晶圆架台的绝 缘构件，所述绝缘构件的表面具有第一区段以及第二区段，第二区段可与聚 焦环相齐平。本发明由于采用了结构改进的绝缘构件，可避免半导体制程中 产生的等离子体直接侵蚀所述聚焦环的外缘造成聚焦环损耗，减少聚焦环及 绝缘构件的损耗并增加其使用寿命，更可改善晶圆在蚀刻处理过程中的蚀刻 均匀度，相应提高产品的良率。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810116053.4 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621020A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/683; H01L21/687; H01L21/00; H01L21/02; H01L21/3065; H01J37/32; C23F4/00; H01L21/67 【发明人】陈文财 【主权项内容】 1.一种晶圆承载装置，包括： 晶圆架台； 聚焦环； 设于所述晶圆架台的绝缘构件； 其特征在于，所述绝缘构件的表面具有相对靠近聚焦环、供承载聚焦环 的第一区段，以及凸起于所述第一区段、与所承载的聚焦环相齐平的第二区 段。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】9 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】9
