【摘要】 本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管的制备领域，该方法完全采用标准CMOS工艺来制备LDMOS的办法，仅仅需要通过如下版图设计来实现LDMOS，即定义有源区版以形成LDMOS器件的体引出区、源区、漏区、沟道区和漂移区，并定义栅区线条版；源区、栅区和漏区采用重掺杂注入版形成；漂移区位于漏区和沟道区之间；体区引出和源区一起接地；采用N阱的版图以形成N型LDMOS的低掺杂漂移区，或P阱的版图形成P型LDMOS的低掺杂漂移区；并采用硅化阻止版防止漂移区被硅化；源区、漏区和栅区设计和常规的MOS相同。本发明对于任何标准工艺均有效，最大程度的降低了成本，拓展了标准工艺制备特殊器件的能力。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810103871.0 【申请日】2008-04-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101266930B 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101266930B 【授权公告日】2010-06-23 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/336 【发明人】张丽杰; 黄如; 肖韩; 王鹏飞; 杨淮洲 【主权项内容】一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法，步骤包括：1)版图设计：定义有源区版以形成LDMOS器件的体引出区、源区、漏区、沟道区和漂移区，并定义栅区线条版；源区、栅区和漏区采用重掺杂注入版形成；漂移区位于漏区和沟道区之间，在漂移区内引入一STI绝缘介质区；体区引出和源区一起接地；采用N阱的版图以形成N型LDMOS的低掺杂漂移区，或P阱的版图形成P型LDMOS的低掺杂漂移区；并采用硅化阻止版防止漂移区被硅化；源区、漏区和栅区设计和常规的MOS相同；2)利用标准的CMOS工艺制备LDMOS器件，步骤依次为：a)采用标准工艺流程进行阱注入工艺时，利用上述N阱的版图，进行低掺杂，形成的N型LDMOS器件的漂移区，或利用P阱的版图，进行低掺杂，形成PMOS的漂移区；采用标准工艺流程的STI隔离工艺，定义器件的有源区，形成LDMOS的体引出区、源区、漏区、沟道区、漂移区及漂移区内引入的STI绝缘介质区；b)接下来进行沟道区注入和栅区形成工艺，LDMOS结构和常规MOS结构几乎完全相同，依次为沟道注入和阈值调整注入，形成栅介质层，淀积和刻蚀栅材料，形成栅，低掺杂形成LDD区，形成侧墙；c)采用标准工艺流程的源漏注入工艺，对LDMOS进行源漏区掺杂；并且，利用NMOS源漏注入，在P型LDMOS的体区高掺杂定义体引出区；或利用PMOS源漏注入，在N型LDMOS的体区高掺杂定义体引出区；将未被硅化阻止版保护的区域硅化，降低电阻；d)采用常规的MOS的制备工艺完成后续的LDMOS制备步骤，制得横向双扩散场效应晶体管。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司; 北京大学 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号; 北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【引证次数】5.0 【被引证次数】2 【他引次数】5.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】35
