【摘要】 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该发光器件包括n+-Si : Au硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层。该器件的阳极的空穴注入机制不同于现有技术，该机制是空穴从Au产生中心的受主能级(Si价带之上0.57eV)向Si价带发射，然后在电场下注入进空穴传输层的最高已占轨道(HOMO)，并且可以通过调整Au产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小，以匹配不同的电子传输材料所对应的不同大小的电子注入电流，实现硅基电致发光效率的提高。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810225333.9 【申请日】2008-10-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728488A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728488B 【授权公告日】2011-05-04 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L51/50; H01L51/54; H01L51/56; C09K11/06 【发明人】秦国刚; 李延钊; 冉广照; 乔永平 【主权项内容】一种有机电致发光器件，依次包括硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层；其中，所述硅衬底层为n+-Si : Au；所述空穴传输层为N，N’-二苯基-N-N’二(1-萘基)-1，1’二苯基-4，4’-二胺或N，N’-二苯基-N-N’二(3-甲基苯基)-1，1’二苯基-4，4’-二胺；所述发光层为聚苯撑乙烯类、金属配合物、小分子有机荧光化合物或磷光化合物；其中，所述小分子有机荧光化合物优选8-羟基喹啉铝、香豆素、奎丫啶酮或红荧烯；所述电子传输层为8-羟基喹啉铝或4，7-二苯基-1，10-菲哕啉；所述透光阴极层为铝、钙或镁，或铝、钙或镁中的任意一种与金或银的合金。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【家族引证次数】3.0
