【摘要】 本发明属于薄膜材料制备领域，具体地说涉及一种透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法。该方法利用磁过滤真空阴极电弧离子镀技术，以金属Al和Cu为阴极源，O2为反应气体，采用双阴极共沉积的方法，在衬底片上制备多晶CuAlO2薄膜，衬底温度为室温～300℃，衬底偏压为0～-100V。该方法工艺简单、成本低、可大面积均匀成膜，适于工业化推广和应用；采用该方法制备的CuAlO2薄膜，为多晶CuAlO2薄膜，薄膜结晶质量高、致密光滑、缺陷少、与衬底片附着力高。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京有色金属研究总院; 北京国晶辉红外光学科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市海淀区新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222214.8 【申请日】2008-09-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101373712B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101373712B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/285; H01L21/363; H01L31/18; H01L33/00; H01L33/42 【发明人】张树玉; 杨海; 苏小平; 黎建明; 刘伟; 闫兰琴; 刘嘉禾 【主权项内容】一种透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法，其特征在于，制备过程包括以下步骤：(1)将衬底片放置到磁过滤真空阴极电弧离子镀设备基片台上，首先抽真空至高于3×10-4Pa，然后将衬底片加热到室温～300℃；(2)开启基片台挡板，用kaufman离子枪对衬底片表面进行离子束清洗，工作气体为Ar气，流量为2～10sccm，离子枪放电电压为200～750V，放电电流为30～100mA，清洗时间为1～10分钟，清洗完毕后关闭基片台挡板；(3)在衬底片上加上偏压0～-100V，分别对Al阴极和Cu阴极进行引电弧放电轰击，Al阴极电弧放电电流为20～60A，Cu阴极电弧放电电流为10～40A，过滤管磁场强度均为40mT；同时用kaufman离子枪发射氧离子束，参数为：工作气体为氧气，流量为2～10sccm，离子枪放电电压为200～750V，放电电流为30～100mA；(4)开启基片台挡板，沉积开始，通过调节阴极电弧放电参数及氧离子束参数可获得所需成分的CuAlO2薄膜，沉积到所需的厚度后关闭基片台挡板，停止阴极电弧放电，关闭离子枪，沉积结束，将衬底片温度缓慢降至室温，降温速率为30～100℃/小时，制备过程结束。 【当前权利人】有研国晶辉新材料有限公司 【当前专利权人地址】河北省廊坊市三河市燕郊兴都村南有研科技集团有限公司二部 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108723577081E 【家族被引证次数】7
