【摘要】 一种倒锥波导耦合器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在SOI上 用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术，将SOI的硅波导层刻蚀为一 倒锥波导和微纳波导集成器件；步骤2：利用有机/无机杂化的溶胶凝胶法 制备光敏性溶胶薄膜材料；步骤3：在SOI的SiO2隔离层及倒锥波导和微 纳波导集成器件上旋涂溶胶薄膜；步骤4：对旋涂的溶胶薄膜进行前烘、 凝胶；步骤5：在溶胶薄膜上利用掩模版进行紫外写入；步骤6：腐蚀掉 紫外写入区以外的部分溶胶薄膜，形成光纤耦合波导，该光纤耦合波导和 倒锥波导构成倒锥波导耦合器；步骤7：后烘，完成倒锥波导耦合器的制 作。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810117073.3 【申请日】2008-07-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101634729A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101634729B 【授权公告日】2011-04-06 【授权公告年份】2011.0 【发明人】尹小杰; 王玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟 【主权项内容】1、一种倒锥波导耦合器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：在SOI上用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术，将SOI 的硅波导层刻蚀为一倒锥波导和微纳波导集成器件； 步骤2：利用有机/无机杂化的溶胶凝胶法制备光敏性溶胶薄膜材料； 步骤3：在SOI的SiO2隔离层及倒锥波导和微纳波导集成器件上旋涂 溶胶薄膜； 步骤4：对旋涂的溶胶薄膜进行前烘、凝胶； 步骤5：在溶胶薄膜上利用掩模版进行紫外写入； 步骤6：腐蚀掉紫外写入区以外的部分溶胶薄膜，形成光纤耦合波导， 该光纤耦合波导和倒锥波导构成倒锥波导耦合器； 步骤7：后烘，完成倒锥波导耦合器的制作。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】6 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】6
