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残像消除方法及装置专利

发布时间:2026-06-12

【摘要】 本发明涉及一种残像消除方法及装置。该方法包括:通过电压提供电路为液晶显示器提供周期性变化的预定幅度的灰度等级参考电压或公共电极电压。本发明还涉及一种残像消除装置,该装置包括电压提供电路,用于为薄膜晶体管液晶显示器提供周期性变化的预定幅度的灰度等级参考电压或公共电极电压。本发明的残像消除方法及装置可以减轻或消除由于公共电极电压理想值与实际值之间的偏差造成的正负显示区域相对于公共电极电压电压所呈现出的非对称性,进而减轻或消除了长时间加载在像素电极上的直流分量,从而减轻薄膜晶体管液晶显示器的残像程度。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810223761.8 【申请日】2008-10-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101727858A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101727858B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G09G3/36 【发明人】窦芳 【主权项内容】一种残像消除方法,其特征在于,包括:通过电压提供电路为薄膜晶体管液晶显示器提供周期性变化的预定幅度的灰度等级参考电压或公共电极电压。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】15 【被自引次数】3.0 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】15

  • 【摘要】本发明涉及一种介孔大孔复合孔结构硅铝氧化物材料的制备方法,主要解决现有技术复合孔硅铝氧化物独石材料中介孔大孔不能同时调控的问题。本发明通过采用将相分离诱导剂R1、结构导向剂R2、酸、水、硅源和铝源的混合物在0~40℃条件下水解反应5
  • 【摘要】本发明涉及一种Wi-Fi通信中切换AP后保持IP地址和数据的方法,通过在IP网络中引入一中转服务器,任意两Wi-Fi无线终端之间在IP网络中的通信,通过中转服务器进行中转,且Wi-Fi无线终端连接中转服务器时,中转服务器为每个Wi-
  • 【摘要】本发明的实施例中公开了一种确定建立小区所需的系统信息的方法,该 方法包括:A.基站根据所获取的各个邻近小区的系统信息,得到各个邻近 小区到该基站所在小区的距离;B.所述基站根据所述各个邻近小区到该基 站所在小区的距离,确定所述基站所
  • 【摘要】本发明提供一种固定修复缺失牙的分体式牙修复体,包括整体支架和栓道式桥体牙,整体支架与缺失牙两侧的基牙用釉质粘接固定,栓道式桥体牙通过其底部的向内凹进的凹槽与整体支架凸凹粘接固定,并与基牙邻面形成凹面接触。本发明的分体式牙修复体的制作
  • 【摘要】本发明公开了一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法,该方法包括:在导电基底上生长绝缘介质薄膜;在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂,光刻得到平行排列的线条图形;在平行排列的线条图形表面蒸镀一层金属薄膜;用丙酮剥离掉光刻胶形成平
  • 【摘要】本发明涉及烧结净烟气再热装置和方法。一方面,提供了一种烧结净烟气再热装置,其包括余热回收装置,用于回收烧结环冷机的余热;和热交换器,用于将所述余热与所述烧结净烟气进行热交换,以提高所述烧结净烟气的温度。另一方面,提供了一种烧结净烟气