【摘要】 本发明涉及一种干蚀刻装置。该装置包括：腔室、架设在所述腔室底部 的基台、进气器和抽气器，还包括：在所述腔室的侧面设有至少一个通过从 所述基台的上方抽出所述腔室内的蚀刻气体以控制蚀刻气体与基板的接触密 度的辅助抽气设备。本发明的干蚀刻装置，蚀刻a-Si、SiNx或Mo等材料时 关闭辅助抽气设备，蚀刻Al等对蚀刻气体比较敏感的材料时开启辅助抽气设 备，并且通过从基台的上方抽出腔室内的蚀刻气体，以控制蚀刻气体与基板 的接触密度，从而用一个干蚀刻装置对多种不同的材料进行蚀刻时不需要设 置或拆除气体调节座，并且有效地提高了生产效率，也有效地提高了生产速 度。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810118455.8 【申请日】2008-08-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656192A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656192B 【授权公告日】2011-06-15 【授权公告年份】2011.0 【发明人】刘圣烈; 崔承镇; 宋泳锡; 董敏 【主权项内容】1、一种干蚀刻装置，包括：腔室、架设在所述腔室底部的基台、进气器 和抽气器，其特征在于还包括：在所述腔室的侧面设有至少一个通过从所述 基台的上方抽出所述腔室内的蚀刻气体以控制蚀刻气体与基板的接触密度的 辅助抽气设备。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
